En el caso de una memoria RAM estática con organización lineal cada célula de memoria toma la forma mostrada en la figura 3-4. En este esquema las primeras puertas AND sólo son necesarias en el una de las células de cada palabra. Se debe comentar la necesidad de la puerta de tres estados a la salida del biestable: esta puerta se pone para evitar que se unan las salidas de los circuitos de las células de diferentes palabras a través del hilo de bit. Si esa puerta no se pusiera (o hubiera otro tipo de puerta en su lugar, como una puerta AND) la información correspondiente a la palabra activa entraría por los circuitos de salida de las demás células, lo que los dañaría.
Organizar 1a memoria de esta forma, tiene el inconveniente de que la complejidad del decodificador crece exponencialmente con el número de entradas y, en una memoria de mucha capacidad, la complejidad del decodificador la hace inviable. Esto hace necesaria una alternativa que simplifique los decodificadores. Esta alternativa la constituye la organización en dos dimensiones en que los bits del registro de dirección se dividen en dos partes y cada una de ellas va a un decodificador diferente. En este caso, las líneas procedentes de ambos decodificadores (X e Y) se cruzan formando un sistema de coordenadas en que cada punto de cruce corresponde a una palabra de memoria. Dado que en cada decodificador sólo se activa una línea, sólo se activará la palabra correspondiente al punto de cruce de las dos líneas activadas. Fácilmente se puede comprender que los decodificadores se simplifican mucho ya que cada uno tiene la mitad de entradas que en el caso anterior. Hay que decir, sin embargo, que la célula de memoria se complica un poco porque hay que añadir una puerta AND en cada palabra para determinar si coinciden las líneas X e Y.
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